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参数资料
| 型号： | FDS4935BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Die Revision 05/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4935BZDKR |
Typical Characteristics
10
I D = -8.8A
2000
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
V DS = -10V
-20V
1600
C iss
6
4
-15V
1200
800
C oss
2
400
C rss
0
0
6
12 18 24
30
36
0
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 s
1ms
40
SINGLE PULSE
R JA = 125°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
30
1
V GS = -10V
DC
1s
20
0.1
SINGLE PULSE
0.01
R JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.01
0.1 1 10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R
= 125 C/W
0.1
0.01
0.001
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R JA (t) = r(t) * R JA
o
JA
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS4935BZ Rev B1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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