- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS5672 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS5672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5672DKR |
SPICE Thermal Model
REV June 2005
FDS5672_JA Junction Ambient
Copper Area = 1sq.in
CTHERM1 TH 8 2e-3
CTHERM2 8 7 5e-3
CTHERM3 7 6 1e-2
CTHERM4 6 5 4e-2
CTHERM5 5 4 9e-2
CTHERM6 4 3 2e-1
CTHERM7 3 2 1
CTHERM8 2 TL 3
RTHERM1 TH 8 1e-1
RTHERM2 8 7 5e-1
RTHERM3 7 6 1
RTHERM4 6 5 5
RTHERM5 5 4 8
RTHERM6 4 3 12
RTHERM7 3 2 18
RTHERM8 2 TL 25
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDS5672
Copper Area = 1sq.in
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 8 =2e-3
ctherm.ctherm2 8 7 =5e-3
ctherm.ctherm3 7 6 =1e-2
ctherm.ctherm4 6 5 =4e-2
ctherm.ctherm5 5 4 =9e-2
ctherm.ctherm6 4 3 =2e-1
ctherm.ctherm7 3 2 =1
ctherm.ctherm8 2 tl =3
rrtherm.rtherm1 th 8 =1e-1
rtherm.rtherm2 8 7 =5e-1
rtherm.rtherm3 7 6 =1
rtherm.rtherm4 6 5 =5
rtherm.rtherm5 5 4 =8
rtherm.rtherm6 4 3 =12
rtherm.rtherm7 3 2 =18
rtherm.rtherm8 2 tl =25
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
RTHERM7
RTHERM8
T ABLE 1. THERMAL MODELS
th
8
7
6
5
4
3
2
tl
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
CTHERM7
CTHERM8
AMBIENT
COMPONANT
CTHERM6
CTHERM7
CTHERM8
RTHERM6
RTHERM7
RTHERM8
0.04 in 2
1.2e-1
0.5
1.3
26
39
55
0.28 in 2
1.5e-1
1.0
2.8
20
24
38.7
0.52 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
15
21
31.3
0.76 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
13
19
29.7
1.0 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
12
18
25
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5672 Rev. A
11
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5680 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| FDS5690 | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
| FDS6294 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
| FDS6298 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6375 | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS5680 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5680 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5680 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR |
| FDS5680_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS5682 | 功能描述:MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。