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参数资料
| 型号： | FDS6670AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6670ASFSDKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 10V
3.5V
2.6
40
30
6.0V
4.0V
4.5V
3.0V
2.2
1.8
V GS = 3.0V
3.5V
20
1.4
4.0V
4.5V
6.0V
10
2.5V
1
10V
0
0
0.5
1 1.5
2
0.6
0
10
20
30
40
50
T A = 125 C
T A = 25 C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 13.5A
V GS = 10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.025
I D = 6.75A
0.02
0.015
o
0.01
o
0.005
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75
o
100
125
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
50
40
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V GS = 0V
25 C
30
1
0.1
T A = 125 o C
o
-55 C
-55 C
20
10
T A = 125 o C
o
0.01
o
25 o C
0
0.001
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6670AS Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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