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参数资料
| 型号： | FDS6670AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6670ASFSDKR |
Typical Characteristics (continued)
10
2400
8
I D =13.5A
V DS = 10V
20V
f = 1MHz
V GS = 0 V
1800
15V
6
4
2
1200
600
C rss
C oss
C iss
0
0
0
5
10 15 20
25
30
0
5
10 15 20 25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 P s
1ms
10ms
40
SINGLE PULSE
R T JA = 125°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
10s
30
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
DC
20
T A = 25 C
0.01
R T JA = 125 o C/W
o
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R T JA (t) = r(t) * R T JA
R T JA = 125 °C/W
P(pk)
0.01
0.02
0.01
t 1
t 2
0.001
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R T JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6670AS Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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