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参数资料
| 型号： | FDS6681Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6681ZDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain–Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V,
I D = –250 μ A
–30
V
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSS
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage
I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = –24 V, V GS = 0 V
V GS = ±25 V, V DS = 0 V
–26
–1
±10
mV/ ° C
μ A
μ A
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain–Source
V DS = V GS , I D = –250 μ A
I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = –10 V, I D = –20 A
–1
–1.8
6
3.8
–3
4.6
V
mV/ ° C
m ?
On–Resistance
V GS = –4.5 V, I D = –17 A
V GS = –10 V, I D = –20 A,T J =125 ° C
5.2
5.0
6.5
6.3
g FS
Forward Transconductance
V DS = –5 V, I D = –20 A
79
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = –15 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
7540
1400
1120
pF
pF
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge at V GS = –10V
Total Gate Charge at V GS = –5V
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
V DD = –15 V, I D = –1 A,
V GS = –10 V, R GEN = 6 ?
V DS = –15 V, I D = –20 A
20
9
660
380
185
105
26
47
35
18
1060
610
260
150
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
FDS6681Z Rev B (W)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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