- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6681Z (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6681Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6681ZDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
–2.1
A
V SD
t RR
Q RR
Drain–Source Diode Forward
Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = –2.1 A
I F = –20 A,
dI F /dt = 100 A/μs
(Note 2)
(Note 2)
–0.7
125
94
–1.2
V
ns
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the
drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
1in pad of 2 oz
a) 50°C/W (10 sec)
62.5°C/W steady state
when mounted on a
2
b) 105°C/W when
mounted on a .04 in 2
pad of 2 oz copper
c) 125°C/W when mounted
on a minimum pad.
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
3. The diode connected between the gate and source serves only as protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.
FDS6681Z Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6682 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC |
| FDS6690AS | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| FDS6690A | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6692A | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS6694 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6681Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6681Z_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V P-Channel PowerTrench? MOSFET |
| FDS6681Z-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6681Z Series P-Channel 30 V 4.6 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| FDS6682 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6682_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。