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参数资料
| 型号： | FDS6681Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6681ZDKR |
Typical Characteristics
105
V GS = -10V
-4.0V
2.4
V GS = -3.5V
90
2.2
75
60
-6.0V
-4.5V
-3.5V
2
1.8
1.6
-4.0V
45
30
15
-3.0V
1.4
1.2
1
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-8.0V
-10V
0
0.8
0
0.5 1 1.5
2
0
15
30
45 60 75
90
105
T A = 25 C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = -20A
V GS = -10V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.012
I D = -10A
0.01
0.008
T A = 125 o C
0.006
0.004
o
0.002
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-30
-10 10 30 50 70 90 110
o
130
150
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
105
90
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1000
V GS = 0V
100
75
10
60
1
T A = 125 o C
25 C
45
T A = 125 o C
-55 o C
0.1
o
30
25 C
15
0
o
0.01
0.001
-55 o C
1
1.25 1.5 1.75 2
2.25
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6681Z Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS6682_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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