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参数资料
| 型号： | FDS6875 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6875DKR |
Typical Electrical Characteristics
20
V GS = -4.5V
-2.5V
2.5
-3.0V
15
10
-2.0V
2
1.5
V GS = -2.0V
-2.5 V
-3.0 V
5
1
-3.5 V
-4.5V
0
0
0.6 1.2 1.8 2.4
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.5
0
4
8 12
- I D , DRAIN CURRENT (A)
16
20
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D = -6A
Figure 2. On-Resistance Variation with
Dain Current and Gate Voltage .
0.1
I D = -3.0A
1.4
1.2
V GS = -4.5V
0.08
0.06
1
0.8
0.04
0.02
T A = 125°C
25° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
T , JUNCTION TEMPERATURE (° C)
J
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance Variation
Temperature .
with
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
V DS = -5.0V
T J = -55° C
20
5
V GS = 0V
25° C
15
10
125° C
1
0.1
T J = 125° C
25° C
-55° C
5
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.001
0
0.3
0.6
0.9
1.2
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
- V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS6875 Rev.C
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDS6875 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SO-8 |
| FDS6890A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6890A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6892 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6892A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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