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参数资料
| 型号： | FDS6894AZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
40
1.8
V GS = 4.5V
2.5V
2.0V
30
1.8V
1.6
V GS = 1.8V
20
1.4
2.0V
1.5V
1.2
2.5V
3.0V
10
0
1
0.8
3.5V
4.5V
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 8A
V GS = 4.5V
0.045
I D = 4A
1.4
0.035
1.2
0.025
T A = 25 C
1
0.8
0.015
o
T A = 125 o C
0.6
0.005
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
40
V DS = 5V
T A = -55 o C
100
V GS = 0V
25 C
o
10
125 C
30
o
1
T A = 125 o C
25 C
o
20
0.1
-55 o C
0.01
10
0.001
0
0.0001
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6894AZ Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6898A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6898A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL N SMD SO-8 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8 |
| FDS6898A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6898A_NF40 | 功能描述:MOSFET 20V 9.4A DUAL NCH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6898A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6898A Series 20 V 14 mOhm Dual N-Channel PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
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