- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS6894AZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6894AZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
5
4
I D = 8A
V DS = 5V
10V
2000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
15V
1500
3
1000
2
C OSS
500
1
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
40
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100μs
1ms
30
R θ JA =135°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
1s
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10s
DC
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 135 °C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6894AZ Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6898A_NF40 | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
| FDS6898AZ_F085 | MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC |
| FDS6898AZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC |
| FDS6900AS | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS6910 | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6898A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6898A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL N SMD SO-8 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8 |
| FDS6898A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6898A_NF40 | 功能描述:MOSFET 20V 9.4A DUAL NCH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6898A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6898A Series 20 V 14 mOhm Dual N-Channel PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。