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参数资料
| 型号： | FDS6911 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6911DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain–Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Source Leakage
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 ° C
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
20
28
1
10
± 100
V
mV/ ° C
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
r DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain–Source
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 7.5 A
1
1.8
–4.7
10.6
3
13
V
mV/ ° C
m Ω
On–Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 6.5 A
V GS = 10 V, I D = 7.5 A,T J = 125 ° C
13
14.5
17
20
I D(on)
On–State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
20
A
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V,
I D = 7.5 A
36
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 15 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
1130
300
100
pF
pF
pF
R G
Gate Resistance
V GS = 15 mV, f = 1.0 MHz
2.4
Ω
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge at Vgs=10V
Total Gate Charge at Vgs=5V
V DD = 15 V,
V GS = 10 V,
V DD = 15 V,
I D = 1 A,
R GEN = 6 Ω
I D = 7.5 A,
9
5
26
7
17
9
18
10
42
14
24
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gs
Q gd
FDS6911 Rev C1
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
3.1
2.7
nC
nC
www.fairchildsemi.com
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