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参数资料
| 型号： | FDS6911 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6911DKR |
Electrica l Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
1.3
A
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V,
I S = 1.3 A
(Note 2)
1.2
V
Voltage
t rr
Q rr
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 7.5 A,
d iF /d t = 100 A/μs
24
13
nS
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) 78°C/W when
mounted on a
0.5 in 2 pad of 2 oz
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
FDS6911 Rev C1
b) 125°C/W when
mounted on a .02 in 2
pad of 2 oz copper
c) 135°C/W when mounted on a
minimum pad.
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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