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参数资料
| 型号： | FDS6911 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6911DKR |
Typical Characteristics
20
2.6
16
V GS = 10.0V
4.5V
3.5V
4.0V
2.2
V GS = 3.0V
12
3.0V
1.8
3.5V
8
1.4
4.0
4
1
4.5V
5.0
6.0V
10.0V
0
0.6
0
0.25
0.5 0.75 1
1.25
1.5
0
4
8 12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 7.5A
V GS = 10V
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 3.8A
1.4
0.03
T A = 125 C
1.2
1
0.02
o
T A = 25 C
0.8
0.6
0.01
0
o
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
16
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 C
12
1
o
T A = 125 C
25 C
-55 C
-55 C
8
4
0
o
o
o
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 o C
o
1.5
2
2.5 3 3.5
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDS6911 Rev C1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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