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参数资料
| 型号： | FDS6912 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
30
V GS = 10V
6.0V
2
24
5.0V
4.5V
1.8
1.6
V GS = 4.0V
18
4.0V
1.4
4.5V
5.0V
12
3.5V
1.2
6.0V
7.0V
6
3.0V
1
0.8
10V
0
0
1
1 2 2
3
3
0
10
20
30
40
50
1.6
V DS , D RAIN-SOUR CE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.5
I D = 6.3A
7
I = 3.0A
D
1.4
1.3
V GS =10V
6
25 C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
5
4
3
2
o
T A = 125 C
o
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
1
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS
,GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = 125 C
15
V DS = 5V
T J = -55°C
25°C
125°C
10
V GS = 0V
o
25 C
1
o
-55 C
10
5
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
0
1
2 3 4
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6912 Rev E (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6912_0007 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6912A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6912A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A_Q | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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