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参数资料
| 型号： | FDS6912 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (continued)
10
2000
I D = 6.3A
V DS = 5V
10V
8
15V
1000
C iss
6
500
4
C oss
2
200
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
4
8
12
16
80
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
S(O
LIM
100
1m
10m
20
10
RD
N)
IT
s
s
us
25
20
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°
10
2
0.5
V GS = 10V
DC
1 0 0
1s
s
ms
15
10
SINGLE PULSE
0.05
R θ JA = 135 °C/W
T A = 25°C
5
0.01
0.1
0.2
0.5
V
DS
1 2 5 10
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
0
0.01
0.1
1 10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
100
1000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 135°C/W
P(pk)
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6912 Rev E (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6930A | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC |
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| FDS6961A_F011 | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6912_0007 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6912A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6912A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A_Q | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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