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参数资料
| 型号： | FDS6930B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 412pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6930BDKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
4.0V
2
16
6.0V
4.5V
3.5V
1.8
V GS = 3.5V
1.6
12
8
1.4
4.0V
4.5V
4
0
3.0V
1.2
1
0.8
5.0V
6.0V
10.0V
0
0.5 1 1.5
2
0
4
8 12
16
20
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 5.5A
V GS = 10.0V
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 2.75A
T A = 125 ° C
T A = 25 ° C
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
16
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
100
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
V GS = 0V
12
1
0.1
T A = 125 ° C
25 ° C
8
T A = 125 ° C
-55 ° C
0.01
-55 ° C
4
0
25 ° C
0.001
0.0001
1
2 3 4
5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDS6930B Rev. A1
3
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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