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参数资料
| 型号： | FDS6930B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 412pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6930BDKR |
Typical Characteristics
10
8
6
4
2
0
I D = 5.5A
V DS = 5V
10V
15V
500
400
300
200
100
0
C rss
C oss
C iss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
1
2 3 4
5
6
0
5 10 15
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100μs
40
R θ JA = 135 ° C/W
T A = 25 ° C
10ms
1s
100ms
30
1
V GS = 10.0V
DC
10s
20
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 ° C/W
T A = 25 ° C
10
0
0.01
0.1 1 10
100
0.001
0.01
0.1 1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 135 ° C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.01
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6930B Rev. A1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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