- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS86242 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS86242 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 67 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS86242DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
20
5
V GS = 10 V
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
15
V GS = 7 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 6 V
4
3
V GS = 6 V
10
V GS = 5.5 V
2
5
V GS = 5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 7 V
V GS = 10 V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
I D = 4.1 A
V GS = 10 V
300
250
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 4.1 A
1.6
1.4
1.2
150
T J = 125 o C
1.0
0.8
0.6
100
50
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
15
10
V DS = 5 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
5
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS86242 Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS86252 | MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN |
| FDS8638 | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC |
| FDS8672S | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
| FDS8690 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| FDS8813NZ | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS86252 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8638 | 功能描述:MOSFET 40/20V, N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86540 | 功能描述:MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8670 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8670_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。