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参数资料
| 型号： | FDS86242 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 67 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS86242DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 4.1 A
1000
C iss
6
V DD = 50 V
V DD = 75 V
V DD = 100 V
100
C oss
4
2
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
20
T J = 25 o C
10
5
4
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 100 o C
3
2
V GS = 10 V
T J =
125 o C
1
V GS = 6 V
R θ JA = 50 C/W
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
T C , Ambient TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
100
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100us
2000
1000
1
1 ms
10 ms
100
R θ JA = 125 C/W
0.1
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
800
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS86242 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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