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参数资料
| 型号： | FDS86252 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 955pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
20
V GS = 10 V
5
V GS = 5 V
15
V GS = 7 V
4
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
3
V GS = 5.5 V
10
2
V GS = 6 V
5
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5 V
1
0
V GS = 7 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
I D = 4.5 A
V GS = 10 V
200
I D = 4.5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
160
120
80
40
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
15
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
10 V GS = 0 V
T J = 150 o C
10
V DS = 5 V
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 25 o C
T J = 25 o C
5
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS86252 Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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