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参数资料
| 型号： | FDS8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.2
16
1.0
12
0.8
V GS = 10V
0.6
8
V GS = 4.5V
0.4
4
0.2
R θ JA =50 o C/W
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
o
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 C/W
0.001
o
10
10
10
10
10
10
10
10
0.0005
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
2000
R θ JA = 125 C/W
T A = 25 C
1000
100
10
1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
o
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8876 Rev. B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
| FDS8880 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8876_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 12.5A, 8.2mヘ |
| FDS8876_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8876_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8878_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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