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参数资料
| 型号： | FDS8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.10
1.05
1.00
I D = 250 μ A
3000
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
C ISS = C GS + C GD
0.95
V GS = 0V, f = 1MHz
0.90
100
-80
-40
0
40
80
120
160
0.1
1
10
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
200
8
6
V DD = 15V
100
10
100us
1ms
4
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10ms
100ms
R θ JA = 125 C/W
2
0
0
5
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 12.5A
I D = 1A
10 15 20 25
Q g , GATE CHARGE (nC)
30
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1 1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
1s
10s
DC
100
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 14. Forward Bias Safe Operating Area
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8876 Rev. B
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
| FDS8880 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC |
| FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8876_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 12.5A, 8.2mヘ |
| FDS8876_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8876_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8878_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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