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参数资料
| 型号： | FDS9431A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9431ADKR |
Typical Characteristics
5
(continued)
2000
4
I D = -1.6A
V D S = -5V
1000
3
2
1
-15V
500
200
100
f = 1 M Hz
V G S = 0 V
Cis s
C oss
C rss
0
0
2
4
6
8
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
Q g , G ATE C H ARG E (nC )
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
-V DS , D R A IN T O S OU R CE V OLTA GE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1m
R θ JA = 125 C/W
T A = 25 C
50
10
3
RD
S( O
N)
LI M
IT
100
10 m
ms
s
100
s
us
50
40
30
SINGLE PULSE
o
o
1s
0 .5
0. 05
V S
V GS = = -4.5V
SINGLE PULSE
θ A 135 θ
R R JA J = = 125 ° C/W
A A
T T A = 25 ° C
1 0 s
DC
20
10
0. 01
0 .1
0 .3
1
2
5
10
30
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
- V D S , DR A IN -SO UR C E V OLTA GE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.0 05
0.2
0.1
0 0 . 5
0 0 . 2
0.0 1
S i n g le P ul s e
R θ J A (t) = r(t) * R θ J A
R θ J A = 125 ° C /W
P(p k )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA ( t)
D u t y C y c l e, D = t 1 /t 2
0.0 02
0.0 01
0.0001
0.0 01
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TI ME (s e c )
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS9431A Rev. A2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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