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参数资料
| 型号： | FDS9435A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 528pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9435ADKR |
Typical Characteristics
30
V GS = -10V
-6.0V
2
-5.0V
V
1.8
V GS =-4.0V
20
-4.5V
V
1.6
-4.5V
-4.0V
1.4
-5.0V
-6.0V
10
-3.5V
1.2
-7.0V
-8.0V
-10V
0
-3.0V
1
0.8
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -5.3A
V GS = -10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.25
I D = -2.8A
0.2
0.15
T A = 125 o C
0.1
T A = 25 o C
0.05
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
15
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
12
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS =0V
125 o C
T A = 125 o C
1
9
25 o C
0.1
6
3
0.01
0.001
-55 o C
0
1
1.5
2 2.5 3 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS9435A Rev D1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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