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参数资料
| 型号： | FDS9945 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 420pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9945DKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
2.2
15
6.0V
5.0V
2
1.8
V GS = 4.0V
10
4.5V
1.6
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
4.0V
1.2
10V
5
1
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
0.25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
T A = 25 C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 3.5A
V GS = 10V
0.2
0.15
0.1
o
o
I D = 1.75A
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.05
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
125 C
T A = 125 C
10
8
V D S = 5V
o
o
o
25 C
10
1
V GS = 0V
o
25 C
-55 C
6
4
2
0.1
0.01
0.001
o
o
0
2
2.5
3 3.5 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS9945 Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC |
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