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参数资料
| 型号： | FDT434 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | P沟道MOSFET的为2.5V指定的PowerTrench |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | FDT434 |
FDT434P Rev. C1 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE V)
DS
I
D
V = -4.5V
- 2.5V
D
- 2. 0V
-3. 0V
-1. 5V
0
5
10
15
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.5V
R
D
-4.5V
-3.0V
-4.0V
-3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = - 4.5V
I = - 6 A
R
D
R
25°C
T =125°C
I = -6 A
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
0
3
6
9
12
15
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V = -5V
D
J
125°C
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
15
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
25°C
-55°C
V = 0V
S
J
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述 |
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参数描述 |
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