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参数资料
| 型号： | FDT439N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 6.3 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | FDT439N |
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1,
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-
.3 0,
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4#$
#%
Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Parameter
FDT439N
30
±
8
6.3
20
3
1.3
1.1
-55 to +150
Units
V
V
A
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
- Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
P
D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
W
(Note 1b)
(Note 1c)
T
J
, T
stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
42
12
°
C/W
°
C/W
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDT439N
Device
FDT439N
Reel Size
13
’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
G
D
S
D
SOT-223
D
D
S
G
G
D
S
SOT-223
*
(J23Z)
D
S
G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
| FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT439N_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| FDT458P | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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