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参数资料
| 型号： | FDT439N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 6.3 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | FDT439N |
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
| FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDT461N | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDU044AN03L | VARISTOR STD 250VRMS 3225 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT439N_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| FDT458P | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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