- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375785 > FDT439N (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDT439N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 6.3 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | FDT439N |
56
'
(
)*+!#,
-!.*+
.
/
/
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 110
°
C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s100ms
10s
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 110
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6.3A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 110
o
C/W
T
A
= 25
o
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
| FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDT461N | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDU044AN03L | VARISTOR STD 250VRMS 3225 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT439N_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT457NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| FDT458P | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。