型号: | FDT434 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
中文描述: | P沟道MOSFET的为2.5V指定的PowerTrench |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 244K |
代理商: | FDT434 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDT434P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
FDT439N | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDT434P | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
FDT434P_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??? MOSFET |
FDT434P_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDT439N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |