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参数资料
| 型号： | FDT457N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | FDT457N |
FDT457N Rev.C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
V = 5V
10V
I = 4A
15V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
50
I
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 110°C/W
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
110
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
2
t
1
t
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.3
1
3
10
30
30
50
100
200
400
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
0.01
0.1
1
10
100
300
40
80
120
160
200
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =110°C
T = 25°C
JA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDT461N | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT457NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| FDT458P | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT458P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDT459N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT459NJ23Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SOT-223 |
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