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参数资料
| 型号： | FDT86256 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 845 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 73pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT86256DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 1.2 A
100
C iss
6
V DD = 65 V
V DD = 75 V
V DD = 85 V
10
C oss
4
C rss
2
1
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0.0
0.3
0.6 0.9
Q g , GATE CHARGE (nC)
1.2
0.5
0.1
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
1.8
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JA = 55 C/W
1.6
1.4
o
1
1.2
T J = 25 o C
1.0
V GS = 10 V
0.1
T J =
100 o C
0.8
0.6
V GS = 6 V
T J = 125 o C
0.4
0.2
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
3
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
THIS AREA IS
100
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1
LIMITED BY r DS(on)
100 μ s
10
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
SINGLEPULSE
R θ JA =118 C/W
T A =25 C
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1s
1
o
o
10
10
0.01
R θ JA = 118 o C/W
T A = 25 o C
10 s
DC
0.5 -3
10
-2
-1
1
10
100
1000
0.005
t, PULSEWIDTH(sec)
0.01
0.1
1
10
100
500
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT86256 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
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