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参数资料
| 型号： | FDT86256 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 845 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 73pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT86256DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
R θ JA = 118 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
t 1
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.01
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
t RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT86256 Rev. C
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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