参数资料
型号: FDU2572
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
标准包装: 1,800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 54 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1770pF @ 25V
功率 - 最大: 135W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251AA
包装: 管件
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 75V
1000
C ISS = C GS + C GD
8
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
100
4
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 9A
I D = 4A
10
0
0.1
1 10
150
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDD2572 / FDU2572 Rev. B
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FDU-2-6R000 制造商:DATADELAY 制造商全称:Data Delay Devices, Inc. 功能描述:FREQUENCY DOUBLING UNIT
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