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参数资料
| 型号： | FDU2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251AA |
| 包装： | 管件 |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD2572 2 1 3 ;
CA 12 8 5.5e-10
rev April 2002
Cb 15 14 7.4e-10
Cin 6 8 1.7e-9
DPLCAP
5
LDRAIN
DRAIN
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 160
10
RSLC2
RSLC1
51
5
ESLC
51
DBREAK
11
RLDRAIN
2
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 1.21e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.45e-9
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
RLgate 1 9 12.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 44.5
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
RSOURCE
RBREAK
17
RLSOURCE
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 35e-3
Rgate 9 20 1.6
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1.0e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 3.0e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*52),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=6.0E-11 N=1.14 RS=3.9e-3 TRS1=3.5e-3 TRS2=3.0e-6
+ CJO=1.1e-9 M=0.63 TT=6.2e-8 XTI=4.5)
.MODEL DbreakMOD D (RS=10 TRS1=5.0e-3 TRS2=-5.0e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=3.5e-10 IS=1.0e-30 N=10 M=0.65)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.55 KP=3 IS=1e-40 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.6)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.0 KP=25 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.95 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=16 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.15e-3 TC2=-9.5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=9.0e-3 TC2=2.5e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.0e-3 TC2=2.5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.1e-3 TC2=-1.0e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5.0 VOFF=-3.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.5 VOFF=-5.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.3 VOFF=-0.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2572 / FDU2572 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V 29a 0.056 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU-2-6R000 | 制造商:DATADELAY 制造商全称:Data Delay Devices, Inc. 功能描述:FREQUENCY DOUBLING UNIT |
| FDU2-6R000 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC |
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