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参数资料
| 型号： | FDZ191P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | 6-WL-CSP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 6-WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDZ191PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
16
2.0
14
1.8
V GS = -1.5V
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
12
10
8
6
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
1.6
1.4
1.2
V GS = -2.0V
V GS = -2.5V
V GS = -3.5V
4
V GS = -1.5V
2
0
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.0
0.8
V GS = -4.5V
0.0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
2
4 6 8 10
12
14
16
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.5
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
240
1.4
1.3
1.2
I D = -1A
V GS = -4.5V
200
160
I D = - 0.5A
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
120
80
40
T J = 25 o C
T J = 125 o C
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
1
2 3 4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
15
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
60
12
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
10
V GS = 0V
9
V DD = -5V
1
T J = 125 o C
0.1
T J = 25 o C
6
T J = 125 o C
0.01
3
T J = 25 o C
1E-3
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.5
1.0 1.5 2.0
2.5
1E-4
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDZ191P Rev.F3 (W)
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ192NZ | MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP |
| FDZ193P | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| FDZ197PZ | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP |
| FDZ371PZ | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP |
| FDZ375P | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDZ191P_0612 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5V PowerTrench㈢ WL-CSP MOSFET |
| FDZ192NZ | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel 1.5V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ193P | 功能描述:MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ197PZ | 功能描述:MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDZ201N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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