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参数资料
| 型号： | FDZ375P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 78 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 865pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 4-WLCSP（1x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDZ375PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
12
V GS = -4.5 V
V GS = -3 V
2.5
V GS = -1.5 V
9
V GS = -2.5 V
V GS = -2 V
V GS = -1.8 V
2.0
V GS = -1.8 V
V GS = -2 V
6
3
V GS = -1.5 V
1.5
1.0
V GS = -2.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -3 V
V GS = -4.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
0
3
6
9
12
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D = -2 A
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
400
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = -4.5 V
300
200
100
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = -2 A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
9
V DS = -5 V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
10
T J = 150 o C
6
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
3
T J = 25 o C
0.01
0
T J = -55 o C
0.001
T J = -55 o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ375P Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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