参数资料
型号: FDZ375P
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 78 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 865pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XFBGA,WLCSP
供应商设备封装: 4-WLCSP(1x1)
包装: 标准包装
其它名称: FDZ375PDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDZ375P Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDZ391P MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
FDZ3N513ZT MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
FDZ661PZ MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
FDZ663P MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
FGA15N120FTDTU IGBT 1200V 15A TO-3PN
相关代理商/技术参数
参数描述
FDZ375P_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench?? Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 78 m??
FDZ391P 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ3N513ZT 功能描述:MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDZ3N513ZTUCX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FD-Z40HBW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:FIBER FLAT DIFFUSE REFLECT R1 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sensing Range Max:260mm , RoHS Compliant: Yes 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:SENSOR, FIBRE OPTIC, REFLECTIVE, 260MM, Fiber Optic Sensor Type:Reflective, Sens