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参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTD2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
200
o
20V
15V
10V
200
o
20V
15V
10V
160
120
9V
160
120
9V
8V
80
40
8V
7V
80
40
7V
V GE = 6V
V GE = 6V
0
0
2 4 6 8
10
0
0
2 4 6 8
10
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
200
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
200
T C = 25 C
T C = 125 C
160 T C = 25 C
T C = 125 C
160
120
80
40
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
120
80
40
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3 4 5 6
7
0
2
4 6 8 10
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = -40 C
4.5
Common Emitter
V GE = 15V
90A
20
Common Emitter
o
16
60A
3.0
30A
12
8
60A
1.5
I C = 10A
4
30A
90A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
25
50 75 100
o
125
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD2 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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