- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录429 > FGA50N100BNTD2 (Fairchild Semiconductor)IGBT NPT 1000V 50A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGA50N100BNTD2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| 产品目录绘图： | FGA Series TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Turn off Switching SOA Characterisics
250
Figure 20. Forward Characteristics
200
T J = 125 C
T J = 25 C
100
100
o
10
o
10
1
V GE = 15V, T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
1
1
Safe Operating Area
o
10
100
1000 3000
0.1
0
1
2 3 4
o
o
5
6
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 21. Reverse Current
Forward Voltage, V F [V]
Figure 22. Reverse Recovery Characteristics vs.
di F /dt
300
80
10
100
T rr
T J = 125 C
10
o
60
8
I rr
1
0.1
40
6
4
T J = 25 C
0.01
o
20
I F = 60A
2
T C = 25 C
1E-3
50
200
400 600 800
1000
0
20
40
60
o
0
80 100 120 140 160 180 200
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 23. Reverse Recovery Characteristics vs.
Forward Current
di F /dt[A/ ? s]
80
70
T rr
I rr
di F /dt = 100A/ ? s
6
4
T C = 25 C
60
o
2
10
20
30 40 50
60
Forward Current,I F [A]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD2 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTDTU | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P |
| FGA50N100BNTTU | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P |
| FGA60N60UFDTU | IGBT 600V 120A TO-3P |
| FGA60N65SMD | IGBT 650V 120A TO-3P |
| FGA90N33ATDTU | IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50N100BNTTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50N60LS | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA50S110P | 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA-60 | 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。