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参数资料
型号： FGA50N100BNTD2
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 7/9页
文件大小： 0K
描述： IGBT NPT 1000V 50A TO-3P
产品目录绘图： FGA Series TO-3P
标准包装： 30
IGBT 类型： NPT 和沟道
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1000V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.9V @ 15V，60A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 50A
功率 - 最大： 156W
输入类型： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装： TO-3PN
包装： 管件
产品目录页面： 1610 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Characteristics
Figure 24.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
single pulse
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA50N100BNTD2 Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
FGA50N100BNTDTU IGBT NPT 50A 1000V TO-3P
FGA50N100BNTTU IGBT NPT 1000V 50A TO-3P
FGA60N60UFDTU IGBT 600V 120A TO-3P
FGA60N65SMD IGBT 650V 120A TO-3P
FGA90N33ATDTU IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P
相关代理商/技术参数
参数描述
FGA50N100BNTDTU 功能描述:IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA50N100BNTTU 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA50N60LS 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT Short Circuit Rated RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA50S110P 功能描述:IGBT 晶体管 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGA-60 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk
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