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参数资料
型号： FGAF40N60UFDTU
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 30
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 3V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 40A
功率 - 最大： 100W
输入类型： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： SC-94
供应商设备封装： TO-3PF
包装： 管件
Electrical Characteristics of the IGBT T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
? B VCES /
? T J
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0V, I C = 250uA
V GE = 0V, I C = 1mA
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V/ ° C
uA
nA
On Characteristics
V GE(th)
G-E Threshold Voltage
I C = 20mA, V CE = V GE
3.5
5.1
6.5
V
V CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 20A ,
I C = 40A ,
V GE = 15V
V GE = 15V
--
--
2.3
3.1
3.0
--
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30V , V GE = 0V,
f = 1MHz
--
--
--
1075
170
50
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
--
--
15
30
--
--
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Q g
Q ge
Q gc
L e
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn - On Switching Loss
Turn - Off Switching Loss
Total Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V CC = 300 V, I C = 20A,
R G = 10 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 25 ° C
V CC = 300 V, I C = 20A,
R G = 10 ? , V GE = 15V ,
Inductive Load, T C = 125 ° C
V CE = 300 V, I C = 20A,
V GE = 15V
Measured 5mm from PKG
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
65
35
470
130
600
30
37
110
80
500
310
810
77
20
25
14
130
100
--
--
1000
--
--
200
250
--
--
1200
150
30
40
--
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
nH
Electrical Characteristics of DIODE T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V FM
t rr
I rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 15A
I F = 15A,
di/dt = 200A/us
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
--
--
--
--
--
--
--
--
1.4
1.3
50
74
4.5
6.5
80
220
1.7
--
95
--
6.0
--
180
--
V
ns
A
nC
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FGAF40N60UFD Rev. A
相关PDF资料
PDF描述
FGAF40N60UFTU IGBT ULTRA FAST 600V TO-3PF
FGB20N60SFD IGBT N-CH 20A 600V D2PAK
FGB20N60SF IGBT 600V 40A 208W D2PAK
FGB3236_F085 IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK
FGB40N60SM IGBT NPT 600V 80A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
FGAF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGAX304-638G 制造商:Advanced Interconnect 功能描述:
FGB.00.302.CLAD22 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG MALE W. CABLE COLLET RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A
FGB.00.302.CLAD22Z 制造商:LEMO connectors 功能描述:.
FGB.00.302.CLAD35 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG MALE W. CABLE COLLET RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A
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