参数资料
型号: FGAF40N60UFDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 40A
功率 - 最大: 100W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: SC-94
供应商设备封装: TO-3PF
包装: 管件
3000
2500
Cies
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
300
Common Emitter
Vcc=300V,V GE = ± 15V
Ic=20A
Tc = 25 ℃
Ton
2000
1500
Coes
100
Tc = 125 ℃ - - - -
Tr
1000
Cres
500
0
10
1
10
30
1
10
100
200
Collector-Emitter Voltage, V CE (V)
Fig 7. Capacitance Characteristics
1000
Gate Resistance, R G ( ? )
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
2000
Common Emitter
Vcc=300V,V GE = ± 15V
Ic=20A
Tc = 25 ℃
Tc = 125 ℃
Toff
1000
Common Emitter
Vcc=300V,V GE = ± 15V
Ic=20A
Tc = 25 ℃
Tc = 125 ℃
Eon
Eoff
100
Tf
100
Tf
20
50
1
10
100
200
1
10
100
200
Gate Resistance, R G ( ? )
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
200
100
Gate Resistance, R G ( ? )
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 10 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Toff
Ton
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
100
Toff
Tf
10
Tr
R G = 10 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Tf
20
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
Collector Current, Ic (A)
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
FGAF40N60UFD Rev. A
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PDF描述
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参数描述
FGAF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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