参数资料
型号: FGAF40N60UFDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 40A
功率 - 最大: 100W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: SC-94
供应商设备封装: TO-3PF
包装: 管件
Package Dimensions
TO-3PF
5.50 ± 0.20
15.50 ± 0.20
?3.60 ± 0.20
3.00 ± 0.20
(1.50)
0.85 ± 0.03
2.00 ± 0.20
2.00 ± 0.20
4.00 ± 0.20
+0.20
0.75 –0.10
5.45TYP
[5.45 ± 0.30 ]
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
2.00 ± 0.20
5.45TYP
[5.45 ± 0.30 ]
2.00 ± 0.20
3.30 ± 0.20
+0.20
0.90 –0.10
Dimensions in Millimeters
FGAF40N60UFD Rev. A
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PDF描述
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参数描述
FGAF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGAX304-638G 制造商:Advanced Interconnect 功能描述:
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