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参数资料
| 型号： | FGB5N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT 600V 10A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 73.5W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-3 |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FGB5N60UNDF
Device
FGB5N60UNDF
Package
TO-263AB(D 2 -PAK)
Rel Size
Tape Width
-
Quantity
50
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
Collector to Emitter Breakdown Voltage V GE = 0V, I C = 250 μ A
600
-
-
V
I CES
I GES
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
-
-
-
-
1
±10
mA
uA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter Saturation Voltage
I C = 5mA, V CE = V GE
I C = 5A , V GE = 15V
I C = 5A , V GE = 15V,
T C = 125 o C
5.5
-
-
6.8
1.9
2.3
8.5
2.4
-
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
Input Capacitance
-
181
pF
C oes
C res
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30V , V GE = 0V,
f = 1MHz
-
-
28
7
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
-
-
5.4
1.9
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
T sc
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit Withstand Time
V CC = 400V, I C = 5A,
R G = 10 Ω , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 25 o C
V CC = 400V, I C = 5A,
R G = 10 Ω , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 125 o C
V CC = 350V,
R G = 100 Ω , V GE = 15V,
T C = 150 o C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
25.4
101
0.08
0.07
0.15
5.2
2.3
26.6
125
0.15
0.09
0.24
-
202
-
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
μ s
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGB5N60UNDF Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGB7N60UNDF | IGBT NPT 600V 14A D2PAK |
| FGD3040G2 | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
| FGD4536TM | IGBT PDP 360V 50A DPAK |
| FGH20N60SFDTU | IGBT 600V 40A TO-247 |
| FGH20N60UFDTU | IGBT 600V 40A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGB7N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGBK | 功能描述:按钮开关 Pushbutton RoHS:否 制造商:C&K Components 触点形式:2 NC - 2 NO 开关功能:ON ? OFF 电流额定值:4 A 电压额定值 AC:12 V to 250 V 电压额定值 DC:12 V to 50 V 功率额定值: 安装风格:Through Hole 照明:Illuminated 照明颜色:None IP 等级:IP 40 端接类型:Solder 触点电镀:Silver 执行器:Square 盖颜色: 封装: 可燃性等级:UL 94 V-0 |
| FG-BTS | 制造商:EATON MOELLER 功能描述:SHROUD BUSBAR FGA/B |
| FG-BVX | 功能描述:烙铁 Gas Filter BVX REPLCMNT FILTERS RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included |
| FG-BVX200 | 功能描述:焊接工作站设备 BVX 200 Deep Bed Gas Filter RoHS:否 制造商:OK International 产品:Stands 类型:Soldering and Rework System 最大温度:+ 55 C 电缆类型:US Cord Included |
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