参数资料
型号: FGB5N60UNDF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT NPT 600V 10A D2PAK
标准包装: 50
IGBT 类型: NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,5A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 10A
功率 - 最大: 73.5W
输入类型: 标准
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263-3
包装: 管件
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Reverse Current
100
Figure 20. Stored Charge
0.25
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 75 C
10
1
o
o
0.20
0.15
o
o
200A/ μ s
di F /dt = 100A/ μ s
0.1
0.10
200A/ μ s
T C = 25 C
0.01
o
0.05
di F /dt =100A/ μ s
0.001
0
150
300
450
600
0.00
0
1
2 3
4
5
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 21. Reverse Recovery Time
120
Forwad Current, I F [A]
T C = 25 C
T C = 125 C
90
o
o
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
60
di F /dt = 100A/ μ s
30
200A/ μ s
0
0
1
2
3
4
5
Forward Current, I F [A]
Figure 22. Transient Thermal Impedance of IGBT
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGB5N60UNDF Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FGB7N60UNDF 功能描述:IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGBK 功能描述:按钮开关 Pushbutton RoHS:否 制造商:C&K Components 触点形式:2 NC - 2 NO 开关功能:ON ? OFF 电流额定值:4 A 电压额定值 AC:12 V to 250 V 电压额定值 DC:12 V to 50 V 功率额定值: 安装风格:Through Hole 照明:Illuminated 照明颜色:None IP 等级:IP 40 端接类型:Solder 触点电镀:Silver 执行器:Square 盖颜色: 封装: 可燃性等级:UL 94 V-0
FG-BTS 制造商:EATON MOELLER 功能描述:SHROUD BUSBAR FGA/B
FG-BVX 功能描述:烙铁 Gas Filter BVX REPLCMNT FILTERS RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included
FG-BVX200 功能描述:焊接工作站设备 BVX 200 Deep Bed Gas Filter RoHS:否 制造商:OK International 产品:Stands 类型:Soldering and Rework System 最大温度:+ 55 C 电缆类型:US Cord Included