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参数资料
| 型号： | FGH40N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
T C = 125 C
V FM
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 20 A
I F =20 A, di F /dt = 200 A/ ? s
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
o
-
-
-
-
-
-
1.95
1.85
45
140
75
375
2.6
-
-
-
-
-
V
ns
nC
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60UFD Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N65UFDTU | IGBT 80A 650V TO-247 |
| FGH40T100SMD | IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
| FGH50N3 | IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
| FGH50N6S2D | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N65UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N65UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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