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参数资料
| 型号： | FGH40N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
120
o
20V
15V
12V
120
o
20V
15V
100
100
12V
80
60
40
10V
80
60
40
10V
20
V GE = 8V
20
V GE = 8V
0
0.0
1.5 3.0 4.5
6.0
0
0.0
1.5 3.0 4.5
6.0
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
120
Common Emitter
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
120
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
100
80
60
40
20
V GE = 15V
o
o
100
80
60
40
20
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3
4
0
5
6
7 8 9 10 11
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = - 40 C
3.5
3.0
Common Emitter
V GE = 15V
80A
20
16
Common Emitter
o
2.5
12
2.0
40A
8
1.5
I C = 20A
4
40A
80A
I C = 20A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
25
50 75 100
o
125
0
4
8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60UFD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N65UFDTU | IGBT 80A 650V TO-247 |
| FGH40T100SMD | IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
| FGH50N3 | IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
| FGH50N6S2D | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N65UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N65UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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