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参数资料
| 型号： | FGH40N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
Figure 14. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
5500
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
500
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
1000
I C = 40A
o
o
t d(off)
100
o
o
t r
100
10
t f
10
t d(on)
0
10
20
30
40
50
20
40
60
80
T C = 25 C
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
600
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs. Gate Resistance
10
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 40A
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
100
10
o
t d(off)
t f
1
0.3
o
o
E on
E off
20
40
60
80
0
10
20 30 40
50
Collector Current, I C [A]
Figure 17. Switching Loss vs. Collector Current
10
Common Emitter
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 18. Turn off Switching
SOA Characteristics
200
T C = 25 C
T C = 125 C
V GE = 15V, T C = 125 C
1
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
E on
E off
100
10
Safe Operating Area
o
0.1
20
40
60
80
1
1
10
100
1000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60UFD Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N65UFDTU | IGBT 80A 650V TO-247 |
| FGH40T100SMD | IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
| FGH50N3 | IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
| FGH50N6S2D | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N65UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N65UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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