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参数资料
| 型号： | FGH40T100SMD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
T C = 25 C
T C = 25 C
Figure 19. Reverse Recovery Time
360
o
Figure 20. Stored Charge
2500
o
T C = 175 C
T C = 175 C
300
o
---
2000
o
240
1500
180
120
di F /dt = 200A/ μ s
di F /dt = 100A/ μ s
1000
di F /dt = 200A/ μ s
di F /dt = 100A/ μ s
60
0
500
0
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
Figure 21. Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 22.Transient Thermal Impedance of Diode
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
single pulse
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40T100SMD Rev. C4
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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